第584章 丧心病狂的远芯

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就在张汝金开始介绍起国内光刻机现状时,苏远山笑着打断了他的话。
  
  “张叔,好歹给咱们留点念想……”
  
  张汝金一怔,当见到苏远山嘴角挂起的苦笑时,他也满嘴苦涩,继而笑着摇了摇头。
  
  是的,这玩意,真不能深究。一旦深究下去,就必定落到国内的整体工业状况上去,而这个问题……太具体,也太沉重了,远不是远芯能够承担和讨论得起的。
  
  现在远芯看似站在了和国外同行的同一个高度,甚至某些领域还有些许的领先。但国外的科技企业之下,是整整一座从基础到中端再到高端的金字塔。而远芯,则只是一栋在低矮平房中拔地而起的大厦——更要命的是,承载这座大厦的,还有许多是来自国外的技术和设备。
  
  一座摩天大厦,就算修建得再高,再富丽堂皇。就稳固性而言,永远也不可能和金字塔相提并论。
  
  这便是,为什么剥离代工厂会对远芯造成那么大的影响,苏远山也要坚持优先代工厂的发展的原因。
  
  “光刻机那边,郑工简单地给我通了个气,表示目前暂时还没有受到影响。但他也未雨绸缪,加大了采购力度。”苏远山摇了摇头,眉头轻轻地皱起。
  
  国内光刻机的发展已经偏离了原本的轨迹,从原本的杳无声息到如今能够提供满足国内0.8微米需求的436nm-g-line机型,其实这算一个好消息。
  
  但这也意味着,它将极有可能提前遭到技术封锁。
  
  需要说明一点的是,按照波长和线宽,理论上,g线光源也是可以达到0.25um节点的极限,但由于波长缘故,越是要达到极限,工艺也就越是复杂——如今宏芯的光刻机已经进厂半年多,华晶那边依旧在磨合着依旧很成熟的0.8微米工艺。再加上g线光刻胶目前最高也仅支持到0.5微米,是以……它未来不可期。
  
  并且就连远芯,制程推进也是在尼康i线365nm光刻机的基础上进行,虽然理论最小工艺节点依旧是0.25微米。但波长和线宽的优势,使得其更容易达到节点。
  
  此外,早在去年,intel就推出了基于0.35微米制程工艺的pentiummmx,轻而易举地就回到了性能王座的同时,也彰显了其晶圆厂强大的制程工艺实力。
  
  根据小道消息,intel的0.25微米工艺也在突破当中。
  
  相比之下,德远这边,还在为0.35微米工艺打着攻坚战。
  
  与此同时,尼康那边已经采用248nm的krf准分子激光作为下一代光刻机的光源,紧接着便是193nm的arf——也就是大名鼎鼎的duv。届时,凭借多重曝光技术,duv将会把制程节点提高到65纳米的干式光刻极限。
  
  再往后……便是浸没式技术的天下了。
  
  如果说,还有什么能够让苏远山有信心和勇气去直面光刻机的未来,恐怕就是“多灾多难的”双工件台以及目前八字都没一撇的浸没式光刻技术了。
  
  沉默几秒后苏远山沉声道:“对于国家来说,光刻机就是好不容易养出来的金宝贝,不可能就此不管的,我们只需要做好我们应该做的即可。”
  
  说着他用力挥了一下手,仿佛想要挥去阴霾和迷雾。
  
  陈静见状毫不掩饰自己的心疼,轻声道:“要不自由讨论一下?”
  
  “没事,下一条。”苏远山抿了抿嘴,紧接着望向田耀明,末了又看了一眼末尾的李逸男一眼。

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